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PRODUCT12位ADC OTP
| Part No. | IRC | VDD | ILRC | ROM | RAM | I/O | TIMER | STACK | ADC | PWM | E2 | Package | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS26P10 | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 2K*16 | 128 | 6/12/14 /16/18 |
2*8bit 1*16bit | 8 | (5+1)*12bit | 3*8bit | - | SOP8/SOP14 /SOP16/SOP18 /SOP20/DIP8 /DIP14/DIP16 /DIP18/DIP20 /TSSOP20 |
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产品简介：HS26P10是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。 CPU特性：◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 2K*16位片内ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 3个8位定时器： TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。 TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 四种振荡模式 内置低速振荡器32K 外置高速晶体振荡器4MHz~16MHz 外置低速晶体振荡器32.768KHz ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 128*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 6种可用中断 4个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC ◆ 2个外部中断：INT0，INT1 ◆ ADC 5个外部ADC输入 1个内部电池检测 内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V） 了解更多 |
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| HS26P10E | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 2K*16 | 128 | 6/14/16 | 2*8bit 1*16bit | 8 | (5+1)*12bit | 3*8bit | 256*8 | SOP8/SOP16 /SOP20 |
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产品简介：HS26P10E是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。 CPU特性：◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 2K*16位片内ROM TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。 TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 四种振荡模式 内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K 外置高速晶体振荡器4MHz~16MHz 外置低速晶体振荡器32.768KHz ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 4个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC ◆ 2个外部中断：INT0，INT1 ◆ ADC 5个外部ADC输入 1个内部电池检测 内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V） 了解更多 |
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| HS23P3022 | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 2K | 128 | 6 | 2*8bit 1*16bit | 8 | (2+1)*12bit | 3*8bit | 256*8 | SOP8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS23P3022是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。 CPU特性：◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 2K*16位片内ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 3个8位定时器： TC0：PWM0/ Buzzer输出。 TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 TC2：PWM2/ Buzzer输出 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 两种振荡模式 内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 128*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 5种可用中断 4个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC ◆ 1个外部中断：INT1 ◆ ADC 2个外部ADC输入 1个内部电池检测 内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V） 了解更多 |
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| HS23P2721 | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 2K*16 | 96 | 6/8/12 | 4*8bit | 5 | (5+1)*12bit | 4*8bit | - | SOP8/MSOP10/ESSOP10/SOP14 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS23P2721是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个12位的ADC，一个2K*16-bit的EPROM。 CPU特性：◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 2K*16位片内EPROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 4个8位定时器： TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。 TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 TC3：外部事件计数器/PWM3（PWM占空比可配置为1/256）。 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 两种振荡模式 内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 96*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 5级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 7种可用中断 5个内部中断：TC0、TC1、TC2、TC3、ADC ◆ 2个外部中断：INT0，INT1 ◆ ADC 5个外部ADC输入 1个内部电池检测 内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V） ◆ 内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率，且频率可通过寄存器软件调节) 了解更多 |
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| HS23P2710 | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 1K*16 | 96 | 4/6 | 4*8bit | 5 | (3+1)*12bit | 4*8bit | - | SOT23-6/SOP8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS23P2710是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个12位的ADC，一个1K*16-bit的EPROM，一个256Byte的EEPROM。 CPU特性：◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 1K*16位片内EPROM ◆ 256Byte的EEPROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 4个8位定时器： TC0：PWM0/ Buzzer输出。 TC1：PWM1/ Buzzer输出。 TC2：PWM2/ Buzzer输出 TC3：PWM3（PWM占空比可配置为1/256）。 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 两种振荡模式 内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 96*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 5级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 5种可用中断：TC0、TC1、TC2、TC3、ADC ◆ ADC 3个外部ADC输入 1个内部电池检测 内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V） ◆ 内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率，且频率可通过寄存器软件调节) 了解更多 |
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| HS23P2710E | 16MHz | 2.2~5.0V | 32K | 1K*16 | 96 | 6 | 4*8bit | 5 | (3+1)*12bit | 4*8bit | 256*8 | SOP8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS23P2710E是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个12位的ADC，一个1K*16-bit的EPROM，一个256Byte的EEPROM。 CPU特性：◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 1K*16位片内EPROM ◆ 256Byte的EEPROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 4个8位定时器： TC0：PWM0/ Buzzer输出。 TC1：PWM1/ Buzzer输出。 TC2：PWM2/ Buzzer输出 TC3：PWM3（PWM占空比可配置为1/256）。 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 两种振荡模式 内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 96*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 5级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 5种可用中断：TC0、TC1、TC2、TC3、ADC ADC 3个外部ADC输入 1个内部电池检测 内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V） ◆ 内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率，且频率可通过寄存器软件调节) 了解更多 |
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