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PRODUCT通用I/O FLASH
| Part No. | IRC | VDD | ROM | RAM | I/O | TIMER | STACK | PWM | E2 | COMP | Package | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS16F1211 | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 2K*14 | 96 | 6/12/14 | 1*8bit,1*12bit,1*16bit | 8 | 3*8bit,3*12bit | 256*8 | 1 | SOP8/SOP14/SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| HS16F1200 | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 1K*14 | 64 | 6 | 1*8bit,1*12bit | 8 | 3*12bit | 128*8 | 1 | SOP8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| HS16F3211V | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 2K*14 | 128 | 6 | 1*8bit,1*12bit,1*16bit | 8 | 3*8bit 3*12bit | 128*8 | 1 | SOP8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| HS16F3211U | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 2K*14 | 128 | 6/12/14 | 1*8bit,1*12bit,1*16bit | 5 | 3*8bit 3*12bit | 128*8 | 1 | SOP8/SOP14/SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS16F3211U 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内建了 2K*16-bit 的FLASH、 128 Byte 的 EEPROM、128Byte 的 SRAM，包含 3 个 12 位 PWM 及 3 个 8 位 PWM，含有可选择的 触摸按键功能模块，同时包含了可配置的端口比较器模块。 CPU特性：◆ 42 条 RISC 指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期 ◆ 14 位宽指令，8 位宽数据路径，8 级深度硬件堆栈 ◆ 支持 GOTO 指令全 ROM 跳转、支持全 ROM 子程序调用 ◆ 2K×14 的程序存储器 ◆ 128 × 8 位 EEPROM 数据存储区 ◆ 128 × 8 位通用寄存器 ◆ 直接、间接寻址方式 ◆ 拥有 1 个可编程预分频器的 8 位实时时钟/计数器（TMR0） ◆ 拥有 1 个可编程预分频器的 12 位实时时钟/计数器（TP0） ◆ 拥有 1 个可编程预分频器的 16 位实时时钟/计数器（TC0） ◆ 3 路由 TC0 控制的 8 位 PWM 及 BUZ ◆ 1 组带死区的 12 位 PWM，可配置为 3 路 12 位 PWM ◆ 5 通道的触摸按键模块 ◆ 可配置的端口比较器资源 ◆ 内部上电复位电路（ POR）、内置欠压复位（BOR） ◆ 上电复位定时器（ PWRT）和振荡器启动定时器（OST） ◆ 看门狗定时器（WDT）使用内部晶振可靠性高，由软件使能或禁止 ◆ 2 组 I/O 口，可配置上拉、下拉和开漏等状态 ◆ 4 种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠：INT/INT1 管脚中断、IOB 的输入状态改变、TC0 溢出唤醒、COMP 唤醒 ◆ 唤醒绿色：INT/INT1 管脚中断、IOB 的输入状态改变、TC0 溢出唤醒、COMP 唤醒、TK 唤 醒、TP0 溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式，可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器 ◆ 8 种可用中断：TMR0 溢出中断、TC0 溢出中断、IOB 端口变化中断、INT/INT1 中断、 了解更多 |
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| HS23F2221D | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 2K*14 | 128 | 14 | 1*8bit,1*12bit,1*16bit | 5 | 3*8bit 3*12bit | 128*8 | 1 | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS23F2221D是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM，包含3个12位PWM及3个8位PWM，同时包含了可配置的端口比较器模块。 CPU特性：◆ 42条RISC指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期 ◆ 14位宽指令，8位宽数据路径，5级深度硬件堆栈 ◆ 支持GOTO指令全ROM跳转、支持全ROM子程序调用 ◆ 2K×14的程序存储器 ◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区 ◆ 128 × 8位通用寄存器， 直接、间接寻址方式 ◆ 拥有1个可编程预分频器的8位实时时钟/计数器（TMR0） ◆ 拥有1个可编程预分频器的12位实时时钟/计数器（TP0） ◆ 拥有1个可编程预分频器的16位实时时钟/计数器（TC0） ◆ 3路由TC0控制的8位PWM及BUZ ◆ 1组带死区的12位PWM，可配置为3路12位PWM ◆ 可配置的端口比较器资源 ◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（LVR） ◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST） ◆ 看门狗定时器（WDT）使用内部晶振可靠性高，由软件使能或禁止 ◆ 2组I/O口，可配置上拉、下拉和开漏等状态 ◆ 4种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒 ◆ 唤醒绿色：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒、TP0溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式，可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器 ◆ 6种可用中断：TMR0溢出中断、TC0溢出中断、IOB端口变化中断、INT/INT1中断、TP0溢出中断、COMP比较中断 ◆ 宽工作电压范围：2.2V至5.5V 了解更多 |
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| HS23F2251 | 16MHz | 2.2~5.5V | 2K*14 | 128 | 14 | 1*8bit,1*12bit,1*16bit | 5 | 3*8bit 3*12bit | 128*8 | 1 | DIP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS23F2251是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM，包含3个12位PWM及3个8位PWM，同时包含了可配置的端口比较器模块。 CPU特性：◆ 42条RISC指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期 ◆ 14位宽指令，8位宽数据路径，5级深度硬件堆栈 ◆ 支持GOTO指令全ROM跳转、支持全ROM子程序调用 ◆ 2K×14的程序存储器 ◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区 ◆ 128 × 8位通用寄存器，直接、间接寻址方式 ◆ 拥有1个可编程预分频器的8位实时时钟/计数器（TMR0） ◆ 拥有1个可编程预分频器的12位实时时钟/计数器（TP0） ◆ 拥有1个可编程预分频器的16位实时时钟/计数器（TC0） ◆ 3路由TC0控制的8位PWM及BUZ ◆ 1组带死区的12位PWM，可配置为3路12位PWM ◆ 可配置的端口比较器资源 ◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（BOR） ◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST） ◆ 看门狗定时器（WDT）使用内部晶振可靠性高，由软件使能或禁止 ◆ 2组I/O口，可配置上拉、下拉和开漏等状态 ◆ 4种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒 ◆ 唤醒绿色：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒、TP0溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式，可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器 ◆ 7种可用中断：TMR0溢出中断、TC0溢出中断、IOB端口变化中断、INT/INT1中断、TP0溢出中断、COMP比较中断 ◆ 宽工作电压范围：2.2V至5.5V 了解更多 |
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| HS16F3211 | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 2K*14 | 128 | 6/12/14 | 1*8bit,1*12bit,1*16bit | 5 | 3*8bit 3*12bit | 128*8 | 1 | SOP8/SOP14/SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS16F3211是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM，包含3个12位PWM及3个8位PWM，同时包含了可配置的端口比较器模块。 CPU特性：◆ 42条RISC指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期 ◆ 14位宽指令，8位宽数据路径，5级深度硬件堆栈 ◆ 支持GOTO指令全ROM跳转、支持全ROM子程序调用 ◆ 2K×14的程序存储器 ◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区，128 × 8位通用寄存器 ◆ 直接、间接寻址方式 ◆ 拥有1个可编程预分频器的8位实时时钟/计数器（TMR0） ◆ 拥有1个可编程预分频器的12位实时时钟/计数器（TP0） ◆ 拥有1个可编程预分频器的16位实时时钟/计数器（TC0） ◆ 3路由TC0控制的8位PWM及BUZ ◆ 1组带死区的12位PWM，可配置为3路12位PWM ◆ 可配置的端口比较器资源 ◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（BOR） ◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST） ◆ 看门狗定时器（WDT）使用内部晶振可靠性高，由软件使能或禁止 ◆ 2组I/O口，可配置上拉、下拉和开漏等状态 ◆ 4种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒 ◆ 唤醒绿色：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒、TP0溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式，可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器 ◆ 7种可用中断：TMR0溢出中断、TC0溢出中断、IOB端口变化中断、INT/INT1中断、TP0溢出中断、COMP比较中断 ◆ 宽工作电压范围：2.2V至5.5V 了解更多 |
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| HS23F3251 | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 2K*14 | 128 | 8 | 1*8bit,1*12bit,1*16bit | 5 | 3*8bit 3*12bit | 128*8 | 1 | MSOP10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS23F3251是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM，包含3个12位PWM及3个8位PWM，同时包含了可配置的端口比较器模块。 CPU特性：◆ 42条RISC指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期 ◆ 14位宽指令，8位宽数据路径，5级深度硬件堆栈 ◆ 支持GOTO指令全ROM跳转、支持全ROM子程序调用 ◆ 2K×14的程序存储器 ◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区 ◆ 128 × 8位通用寄存器，直接、间接寻址方式 ◆ 拥有1个可编程预分频器的8位实时时钟/计数器（TMR0） ◆ 拥有1个可编程预分频器的12位实时时钟/计数器（TP0） ◆ 拥有1个可编程预分频器的16位实时时钟/计数器（TC0） ◆ 3路由TC0控制的8位PWM及BUZ ◆ 1组带死区的12位PWM，可配置为3路12位PWM ◆ 可配置的端口比较器资源 ◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（BOR） ◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST） ◆ 看门狗定时器（WDT）使用内部晶振可靠性高，由软件使能或禁止 ◆ 2组I/O口，可配置上拉、下拉和开漏等状态 ◆ 4种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒 ◆ 唤醒绿色：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒、TP0溢出唤醒 ◆ 省电休眠模式，可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器 ◆ 7种可用中断：TMR0溢出中断、TC0溢出中断、IOB端口变化中断、INT/INT1中断、TP0溢出中断、COMP比较中断 ◆ 宽工作电压范围：2.2V至5.5V 了解更多 |
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