产品简介：HS52F2824 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 1T 速度 51 内核单片机，它内建了 16Kx8-bit 的 FLASH、256 Byte 的 EEPROM、256Byte+512byte 的 SRAM，包含 6 路 12 位 PWM，集成了一个 12 位 SAR ADC。

◆ 1T8051 指令，4 级中断优先设置，双数据指针(DPTRS)

◆ 16K×8 的程序存储器，灵活代码保护，重复写入 1 万次

◆ 256× 8 位 EEPROM 数据存储区，重复写入 10 万次，10 年以上保存寿命

◆ 256× 8 位 IRAM+ 512× 8 位 XRAM

◆ T0、T1 定时器兼容传统 8051 的 T0、T1 定时/计数器

◆ T2 定时器兼容主流厂商的 T2 定时/计数器

◆ 一个增强型 EUART

◆ 一个兼容传统 8051 的 UART

◆ 4 组功能 IO 口，共 18 个 IO，驱动最大可达 100mA

◆ 内嵌片上调试功能，可进行在线仿真，2 线烧录和仿真接口

◆ 多组中断，T0/T1/T2,TI/RI,INT0/INT1/INT2/INT3/ADC/PWM/SPI/BTM，4 级中断优先级设置

◆ 内置 16MHz±1.5%高速振荡器，内置 128Khz±7%低速晶体振荡器。

◆ 支持 ISP 和 IAP 模式，拥有 BOOT 功能，LOAD ROM 可以 1K、2K、3K 或 4K

◆ 内置 6 级 LVR

◆ SPI 通信接口

◆ WDT 可设置分频和时钟源

◆ 6 路共用周期 12bit PWM，可分为 3 组互补带死区 PWM

◆ 12 路 12bit ADC，可内建 1.5v、2v、3v 参考基准/可测 VDD

◆ 省电模式 IDLE，可任意外中断唤醒

◆ sleep 模式，可外中断、端口变化中断、BTM 溢出唤醒

◆ 软件可设置主频分频和时钟源切换

◆ 宽工作电压范围：2.2V 至 5.5V

◆ 工作温度：-40~105℃

◆ ESD：6000V；Latch up：300mA

◆ 基于 KEILTM开发环境

产品简介：

HS52F003N 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 1T 速度 51 内核单片机，它内建了16Kx8-bit 的 FLASH、256 Byte 的 EEPROM、256Byte+512byte 的 SRAM，包含 6 路 12 位 PWM，集成了一个 12 位 SAR ADC。

CPU特性：

◆ 1T8051 指令，4 级中断优先设置，双数据指针(DPTRS)

◆ 16K×8 的程序存储器，灵活代码保护，重复写入 1 万次

◆ 256× 8 位 EEPROM 数据存储区，重复写入 10 万次，10 年以上保存寿命

◆ 256× 8 位 IRAM+ 512× 8 位 XRAM

◆ T0、T1 定时器兼容传统 8051 的 T0、T1 定时/计数器

◆ T2 定时器兼容主流厂商的 T2 定时/计数器

◆ 一个增强型 EUART

◆ 一个兼容传统 8051 的 UART

◆ 4 组功能 IO 口，共 18 个 IO，驱动最大可达 100mA

◆ 内嵌片上调试功能，可进行在线仿真，2 线烧录和仿真接口

◆ 多组中断，T0/T1/T2,TI/RI,INT0/INT1/INT2/INT3/ADC/PWM/SPI/BTM，4 级中断优先级设置

◆ 内置 16MHz±1.5%高速振荡器，内置 128Khz±7%低速晶体振荡器。

◆ 支持 ISP 和 IAP 模式，拥有 BOOT 功能，LOAD ROM 可以 1K、2K、3K 或 4K

◆ 内置 6 级 LVR

◆ SPI 通信接口

◆ WDT 可设置分频和时钟源

◆ 6 路共用周期 12bit PWM，可分为 3 组互补带死区 PWM

◆ 12 路 12bit ADC，可内建 1.5v、2v、3v 参考基准/可测 VDD

◆ 省电模式 IDLE，可任意外中断唤醒

◆ sleep 模式，可外中断、端口变化中断、BTM 溢出唤醒

◆ 软件可设置主频分频和时钟源切换

◆ 宽工作电压范围：2.2V 至 5.5V

◆ 工作温度：-40~105℃

◆ ESD：6000V；Latch up：300mA

◆ 基于 KEILTM开发环境

产品简介：

HS52F2824 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 1T 速度 51 内核单片机，它内建了 16Kx8-bit 的 FLASH、256 Byte 的 EEPROM、256Byte+512byte 的 SRAM，包含 6 路 12 位 PWM，集成了一个 12 位 SAR ADC。

CPU特性：

◆ 1T8051 指令，4 级中断优先设置，双数据指针(DPTRS)

◆ 16K×8 的程序存储器，灵活代码保护，重复写入 1 万次

◆ 256× 8 位 EEPROM 数据存储区，重复写入 10 万次，10 年以上保存寿命

◆ 256× 8 位 IRAM+ 512× 8 位 XRAM

◆ T0、T1 定时器兼容传统 8051 的 T0、T1 定时/计数器

◆ T2 定时器兼容主流厂商的 T2 定时/计数器

◆ 一个增强型 EUART

◆ 一个兼容传统 8051 的 UART

◆ 4 组功能 IO 口，共 18 个 IO，驱动最大可达 100mA

◆ 内嵌片上调试功能，可进行在线仿真，2 线烧录和仿真接口

◆ 多组中断，T0/T1/T2,TI/RI,INT0/INT1/INT2/INT3/ADC/PWM/SPI/BTM，4 级中断优先级设置

◆ 内置 16MHz±1.5%高速振荡器，内置 128Khz±7%低速晶体振荡器。

◆ 支持 ISP 和 IAP 模式，拥有 BOOT 功能，LOAD ROM 可以 1K、2K、3K 或 4K

◆ 内置 6 级 LVR

◆ SPI 通信接口

◆ WDT 可设置分频和时钟源

◆ 6 路共用周期 12bit PWM，可分为 3 组互补带死区 PWM

◆ 12 路 12bit ADC，可内建 1.5v、2v、3v 参考基准/可测 VDD

◆ 省电模式 IDLE，可任意外中断唤醒

◆ sleep 模式，可外中断、端口变化中断、BTM 溢出唤醒

◆ 软件可设置主频分频和时钟源切换

◆ 宽工作电压范围：2.2V 至 5.5V

◆ 工作温度：-40~105℃

◆ ESD：6000V；Latch up：300mA

◆ 基于 KEILTM开发环境