产品中心
PRODUCT触摸按键 FLASH
| Part No. | IRC | VDD | ROM | RAM | I/O | TOUCH | LCD | TIMER | PWM | E2 | Package | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS16F3612U | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 4K*14 | 336 | 18 | 10 | - | 2*8bit 2*12bit | 8*12bit | 128*8 | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS16F3612S | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 4K*14 | 336 | 18 | 10 | - | 2*8bit 2*12bit | 8*12bit | 128*8 | SOP20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS16F3612W | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 4K*14 | 336 | 18 | 10 | - | 2*8bit 2*12bit | 8*12bit | 128*8 | DIP20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS16F3612V | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 4K*14 | 336 | 14/18 | 10 | - | 2*8bit 2*12bit | 8*12bit | 128*8 | DIP20/SOP20/SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS16F2612 | 16/24MHz | 2.2~5.5V | 2k*16 | 176 | 14/12/8 | - | 1.8bit,4*12bit,1*16bit | 6*12bit | 256*8 | SOP8/SOP14/SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS16F3612 | 8/16MHz | 2.2~5.5V | 4K*14 | 336 | 6/12/14/18 | 10 | - | 2*8bit 2*12bit | 8*12bit | 128*8 | SOP8/SOP14 /SOP16/TSSOP20/SOP20/QFN20 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
产品简介： HS16F3612 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内建了 4K 字的 FLASH、128 Byte 的 EEPROM、336Byte 的 SRAM，6 路带死区 12 位 PWM（T2）及 1 个 8 位定时器（TC1_RTC），含有可选择的触摸按键功能模块，ADC 模块及 UART 模块。
CPU特性： ◆ 39 条 RISC 指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期 ◆ 兼容 PIC 指令 ◆ 8 级深度硬件堆栈 ◆ 支持 GOTO 指令 2k 内 ROM 跳转、支持 2k 内 ROM 子程序调用，超过 2k 需操作 PCLATH ◆ 4K 字的程序存储器 ◆ 128 × 8 位 EEPROM 数据存储区 ◆ 336 × 8 位通用寄存器 ◆ 直接、间接寻址方式 ◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0 ◆ 1个可预分频器的8位RTC定时器/普通定时器TC1 ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器T2，可配置6路12位PWM ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器T3，可配置2路12位PWM（相关寄存器bank需手动切换， 非必要不使用） ◆ 10 通道的触摸按键模块 ◆ 13 通道的 12 位 ADC 模块 ◆ 1组独立UART串口，TX/RX可独立使用，且可映射不同端口，可参与唤醒 ◆ 1组独立UART1串口，TX1/RX1可独立使用（相关寄存器bank需手动切换，非必要不使用） ◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（LVR） ◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST） ◆ 3组18个I/O口(IOA/IOB/IOC)，可配置上拉、下拉和开漏等状态，IOC无开漏 ◆ 4 种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠：INT/INT1 管脚中断、PA/PB 的输入状态改变、TC1 溢出唤醒 ◆ 唤醒绿色：INT/INT1 管脚中断、PA/PB 的输入状态改变、TC1 溢出唤醒、T2 溢出唤醒、T3 溢出唤醒、TK 唤醒 ◆ 省电休眠模式，可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器（LP）、外部 高速晶体振荡器（HS/XT）、RTC 模式 ◆ 13 种可用中断：TMR0 溢出中断、TC1 溢出中断、T2 溢出中断、T3 溢出中断、PA/PB 端口 变化中断、INT0 中断、INT1 中断、TK 中断、ADC 中断、UART 收、发中断、UART1 收、发中断 ◆ 宽工作电压范围：2.2V 至 5.5V ◆ 可支持 C编译，C仿真，可在线调试 ◆ 8M/16M主频可选，且频率可软件配置 ◆ 端口驱动2级可选 了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS16F3612E | 8/16MHz | 2.2 ~5.5V |
4K | 384 | 14 | 8 | - | 2*8bit 2*12bit | 7*12bit | 256*8 | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
产品简介： HS16F3612E 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内建了4K 字的 FLASH、336Byte 的 SRAM，6 路带死区12 位 PWM（T2）及 1 个8 位定时器（TC1_RTC），含有可选择的触摸按键功能模块，ADC 模块及 UART 模块。
CPU特性： ◆ 39 条 RISC 指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期 ◆ 兼容 PIC 指令 ◆ 8 级深度硬件堆栈 ◆ 支持 GOTO 指令 2k 内 ROM 跳转、支持 2k 内 ROM 子程序调用，超过 2k 需操作 PCLATH ◆ 4K 字的程序存储器 ◆ 336 × 8 位通用寄存器 ◆ 内置 256× 8 位 EEPROM ◆ 直接、间接寻址方式 ◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0 ◆ 1个可预分频器的8位RTC定时器/普通定时器TC1 ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器T2，可配置6路12位PWM ◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器T3，可配置2路12位PWM（相关寄存器bank需手动切换， 非必要不使用） ◆ 10 通道的触摸按键模块 ◆ 13 通道的 12 位 ADC 模块 ◆ 1组独立UART串口，TX/RX可独立使用，且可映射不同端口，可参与唤醒 ◆ 1组独立UART1串口，TX1/RX1可独立使用（相关寄存器bank需手动切换，非必要不使用） ◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（LVR） ◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST） ◆ 3组18个I/O口(IOA/IOB/IOC)，可配置上拉、下拉和开漏等状态，IOC无开漏 ◆ 4 种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式 ◆ 唤醒睡眠：INT/INT1 管脚中断、PA/PB 的输入状态改变、TC1 溢出唤醒 ◆ 唤醒绿色：INT/INT1 管脚中断、PA/PB 的输入状态改变、TC1 溢出唤醒、T2 溢出唤醒、T3 溢出唤醒、TK 唤醒 ◆ 省电休眠模式，可编程代码保护 ◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器（LP）、外部 高速晶体振荡器（HS/XT）、RTC 模式 ◆ 13 种可用中断：TMR0 溢出中断、TC1 溢出中断、T2 溢出中断、T3 溢出中断、PA/PB 端口 变化中断、INT0 中断、INT1 中断、TK 中断、ADC 中断、UART 收、发中断、UART1 收、发中断 ◆ 宽工作电压范围：2.2V 至 5.5V ◆ 可支持 C编译，C仿真，可在线调试 ◆ 8M/16M主频可选，且频率可软件配置 ◆ 端口驱动2级可选 了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS26F003TS | 12/14/16MHz | 2.0 ~5.5V |
8K | 384 | 6/18 | 14 | - | 1*8bit 2*12bit 3*16bit | 3*8bit 5*12bit 3*16bit | 256*8 | TSSOP20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS26F003TS 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内建了 8K*16-bit 的 FLASH、256 Byte 的 EEPROM、384Byte 的 SRAM，MCU 内置资源丰富，包含 5 路 12 位 PWM、3 路 16 位 PWM 及 3 路 8 位 PWM，含有可选择的触摸按键功能模块，包含了可配置的端口比较器模块，集成了一个 12 位 SAR ADC，集成了 LCD/LED 驱动。 CPU特性：■ 工作电压 2.0~5.5v(12M 主频) ■ 工作温度范围：-40℃~85℃ ■ 8K Word ROM ■ 256 Byte EEPROM ■ 384 Byte RAM ■ 最大 30 个 IO 口 ■ 最大 16 通道触摸按键 ■ 最大 11 通道的 12 位 AD ■ 4*26~7*23 点阵型 LCD/LED ■ 所有端口驱动可选 ■ 3 路 8 位 PWM ■ 3 路 16 位 PWM，5 路 12 位 PWM，可配置为 3 组带死区控制的 PWM ■ 1 个 UART 通讯口，可映射 4 组端口 ■ 1 个 SPI 通讯口 ■ 1 个 I2C 通讯口 ■ 2 个 16 位定时、计数器 ■ 集成端口比较器，可比较端口电压 ■ 集成一个增益可调运放，可放大端口信号 ■ 可配置内部高速，内部低速，外部高速的系统时钟 ■ 内部高速时钟 12M、14M、16M 可选 ■ 内置 WDT 定时器 ■ 包含端口变化唤醒及定时器溢出唤醒 ■ 包括高速，低速，绿色，休眠四种模式 ■ 包含上电复位，掉电复位（可选） 了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS26F2728S | 12/14/16MHz | 2.0 ~5.5V |
8K*16 | 384 | 14/18 /22/26/30 |
16 | 4*26~7*23 | 1*8bit 2*12bit 3*16bit | 3*8bit 5*12bit 3*16bit | 256*8 | SOP16/SOP20 /SSOP20/QFN20 /SSOP24/TSSOP28/SOP28/QFN32 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
产品简介： HS26F2728S 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内建了 8K*16-bit 的 FLASH、256 Byte 的 EEPROM、384Byte 的 SRAM，MCU 内置资源丰富，包含 5 路 12 位 PWM、3 路 16 位 PWM 及 3 路 8 位 PWM，含有可选择的触摸按键功能模块，包含了可配置的端口比较器模块，集成了一个 12 位 SAR ADC，集成了 LCD/LED 驱动。
CPU特性： ■ 工作电压 2.0~5.5v(12M 主频) ■ 工作温度范围：-40℃~85℃ ■ 8K Word ROM ■ 256 Byte EEPROM ■ 384 Byte RAM ■ 最大 30 个 IO 口 ■ 最大 16 通道触摸按键 ■ 最大 11 通道的 12 位 AD ■ 4*26~7*23 点阵型 LCD/LED ■ 所有端口驱动可选 ■ 3 路 8 位 PWM ■ 3 路 16 位 PWM，5 路 12 位 PWM，可配置为 3 组带死区控制的 PWM ■ 1 个 UART 通讯口，可映射 4 组端口 ■ 1 个 SPI 通讯口 ■ 1 个 I2C 通讯口 ■ 2 个 16 位定时、计数器 ■ 集成端口比较器，可比较端口电压 ■ 集成一个增益可调运放，可放大端口信号 ■ 可配置内部高速，内部低速，外部高速的系统时钟 ■ 内部高速时钟 12M、14M、16M 可选 ■ 内置 WDT 定时器 ■ 包含端口变化唤醒及定时器溢出唤醒 ■ 包括高速，低速，绿色，休眠四种模式 ■ 包含上电复位，掉电复位（可选） 了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS26F2728SE | 12/14/16MHz | 2.0 ~5.5V |
8K | 384 | 14/18 /26/28 |
16 | 4*26~7*23 | 1*8bit 2*12bit 3*16bit | 3*8bit 5*12bit 3*16bit | 256*8 | QFN32/SOP28 /TSSOP20/SOP20 /SOP16 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
产品简介： HS26F2728SE 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内建了 8K*16-bit 的 FLASH、 内置 256Byte 的 EEPROM、384Byte 的 SRAM，MCU 内置资源丰富，包含 5 路 12 位 PWM、3 路 16 位 PWM 及 3 路 8 位 PWM，含有可选择的触摸按键功能模块，包含了可配置的端口比较器模块，集 成了一个 12 位 SAR ADC，集成了 LCD/LED 驱动。
CPU特性： ■ 工作电压 2.0~5.5v(12M 主频) ■ 工作温度范围：-40℃~85℃ ■ 8K Word ROM ■ 256 Byte EEPROM ■ 384 Byte RAM ■ 最大 30 个 IO 口 ■ 最大 16 通道触摸按键 ■ 最大 11 通道的 12 位 AD ■ 4*26~7*23 点阵型 LCD/LED ■ 所有端口驱动可选 ■ 3 路 8 位 PWM ■ 3 路 16 位 PWM，5 路 12 位 PWM，可配置为 3 组带死区控制的 PWM ■ 1 个 UART 通讯口，可映射 4 组端口 ■ 1 个 SPI 通讯口 ■ 1 个 I2C 通讯口 ■ 2 个 16 位定时、计数器 ■ 集成端口比较器，可比较端口电压 ■ 集成一个增益可调运放，可放大端口信号 ■ 可配置内部高速，内部低速，外部高速的系统时钟 ■ 内部高速时钟 12M、14M、16M 可选 ■ 内置 WDT 定时器 ■ 包含端口变化唤醒及定时器溢出唤醒 ■ 包括高速，低速，绿色，休眠四种模式 ■ 包含上电复位，掉电复位（可选） 了解更多 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
