HS16F3612E 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内建了4K 字的 FLASH、336Byte 的 SRAM，6 路带死区12 位 PWM（T2）及 1 个8 位定时器（TC1_RTC），含有可选择的触摸按键功能模块，ADC 模块及 UART 模块。

◆ 39 条 RISC 指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期

◆ 兼容 PIC 指令

◆ 8 级深度硬件堆栈

◆ 支持 GOTO 指令 2k 内 ROM 跳转、支持 2k 内 ROM 子程序调用，超过 2k 需操作 PCLATH

◆ 4K 字的程序存储器

◆ 336 × 8 位通用寄存器

◆ 内置 256× 8 位 EEPROM

◆ 直接、间接寻址方式

◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0

◆ 1个可预分频器的8位RTC定时器/普通定时器TC1

◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器T2，可配置6路12位PWM

◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器T3，可配置2路12位PWM（相关寄存器bank需手动切换， 非必要不使用）

◆ 10 通道的触摸按键模块

◆ 13 通道的 12 位 ADC 模块

◆ 1组独立UART串口，TX/RX可独立使用，且可映射不同端口，可参与唤醒

◆ 1组独立UART1串口，TX1/RX1可独立使用（相关寄存器bank需手动切换，非必要不使用）

◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（LVR）

◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST）

◆ 3组18个I/O口(IOA/IOB/IOC)，可配置上拉、下拉和开漏等状态，IOC无开漏

◆ 4 种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式

◆ 唤醒睡眠：INT/INT1 管脚中断、PA/PB 的输入状态改变、TC1 溢出唤醒

◆ 唤醒绿色：INT/INT1 管脚中断、PA/PB 的输入状态改变、TC1 溢出唤醒、T2 溢出唤醒、T3 溢出唤醒、TK 唤醒

◆ 省电休眠模式，可编程代码保护

◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器（LP）、外部 高速晶体振荡器（HS/XT）、RTC 模式

◆ 13 种可用中断：TMR0 溢出中断、TC1 溢出中断、T2 溢出中断、T3 溢出中断、PA/PB 端口 变化中断、INT0 中断、INT1 中断、TK 中断、ADC 中断、UART 收、发中断、UART1 收、发中断

◆ 宽工作电压范围：2.2V 至 5.5V

◆ 可支持 C编译，C仿真，可在线调试

◆ 8M/16M主频可选，且频率可软件配置

◆ 端口驱动2级可选