产品简介：

        HS3068是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有ROM，HS3068提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。

CPU特性：

        ◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围：0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出

        ◆ 32*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时，最多可形成25个按键

        ◆ M-MODE型时，最多可形成16个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选（240mA，280mA，340mA）

        ◆ 省电解电容可选。

产品简介：

        HS9068是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有ROM，HS9068提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。

CPU特性：

        ◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围：0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出

        ◆ 32*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时，最多可形成25个按键

        ◆ M-MODE型时，最多可形成16个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选（240mA，280mA，340mA）

        ◆ 省电解电容可选。

产品简介：

        该芯片采用 OTP 工艺制造，高性能、低功耗红外发射电路，T-KEY 三角矩阵键盘，最多可组成 52 个按键。除了能实现 50 多种常用基本码型外，还可实现一些特殊码型。配合 HS9060P 开发软件及烧写器，可极大提高用户产品开发质量，缩短开发周期。

CPU特性：

        ◆ 低静态电流：<2uA

        ◆ 工作电压范围宽：2.0V~3.6V

        ◆ 外部线路元器件少

        ◆ 支持内置或外接三极管驱动发射头

        ◆ 内置振荡电路，误差<=±1.5%

        ◆ 软件编程容易，开发效率高

        ◆ 发码驱动 500mA（3V0.2VDD）

        ◆ ESSSOP10 封装

产品简介：

        HS9064P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有OTP-ROM，HS9064P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。

CPU特性：

        ◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围：0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时，最多可形成88(11*10/2+11+11+11)个按键

        ◆ M-MODE型时，最多可形成36(6*5+6)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选（300mA~500mA）

        ◆ 省电解电容可选。

产品简介：

        HS3000P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有OTP-ROM，HS3000P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。

CPU特性：

        ◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围：0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时，最多可形成91个按键

        ◆ M-MODE型时，最多可形成49(6*7+7)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选（300mA~500mA）

        ◆ 省电解电容可选。

产品简介：

        HS9000P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有OTP-ROM，HS9000P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。

CPU特性：

        ◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围：0℃~80℃

        ◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时，最多可形成91个按键

        ◆ M-MODE型时，最多可形成49(6*7+7)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选（300mA~500mA）

        ◆ 省电解电容可选。

产品简介：

        HS2303-P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有OTP-ROM，HS2303-P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。

CPU特性：

        ◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围：0℃~70℃

        ◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)个按键

        ◆ M-MODE型时，最多可形成20(4*4+4)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选（240mA，280mA，340mA）

        ◆ 省电解电容可选。

产品简介：

        HS2313-P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有OTP-ROM，HS2303-P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。

CPU特性：

        ◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V

        ◆ 工作温度范围：0℃~70℃

        ◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2%

        ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA

        ◆ 1K*14位片内ROM

        ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出

        ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器）

        ◆ 2组双向标准I/O端口

        ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈

        ◆ 节能模式（SLEEP模式）

        ◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令

        ◆ T-MODE型模式时，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)个按键

        ◆ M-MODE型时，最多可形成20(4*4+4)个按键

        ◆ 可以作为通用MCU使用

        ◆ 不可间接寻址

        ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒

        ◆ 驱动可选（240mA，280mA，340mA）

        ◆ 省电解电容可选。