HS23F2221D是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM，包含3个12位PWM及3个8位PWM，同时包含了可配置的端口比较器模块。

◆ 42条RISC指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期

◆ 14位宽指令，8位宽数据路径，5级深度硬件堆栈

◆ 支持GOTO指令全ROM跳转、支持全ROM子程序调用

◆ 2K×14的程序存储器

◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区

◆ 128 × 8位通用寄存器， 直接、间接寻址方式

◆ 拥有1个可编程预分频器的8位实时时钟/计数器（TMR0）

◆ 拥有1个可编程预分频器的12位实时时钟/计数器（TP0）

◆ 拥有1个可编程预分频器的16位实时时钟/计数器（TC0）

◆ 3路由TC0控制的8位PWM及BUZ

◆ 1组带死区的12位PWM，可配置为3路12位PWM

◆ 可配置的端口比较器资源

◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（LVR）

◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST）

◆ 看门狗定时器（WDT）使用内部晶振可靠性高，由软件使能或禁止

◆ 2组I/O口，可配置上拉、下拉和开漏等状态

◆ 4种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式

◆ 唤醒睡眠：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒

◆ 唤醒绿色：INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒、TP0溢出唤醒

◆ 省电休眠模式，可编程代码保护

◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器

◆ 6种可用中断：TMR0溢出中断、TC0溢出中断、IOB端口变化中断、INT/INT1中断、TP0溢出中断、COMP比较中断

◆ 宽工作电压范围：2.2V至5.5V