HS26P10E是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。

◆   除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期

◆   2K*16位片内ROM
◆   可直接、间接寻址
◆   3个8位定时器：

                TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。

                TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 

                TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 

◆  内置上电复位，掉电复位

◆  内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT

◆  内置可预分频WDT

◆  四种振荡模式

               内置高速振荡器16MHz

               内置低速振荡器32K

               外置高速晶体振荡器4MHz~16MHz

               外置低速晶体振荡器32.768KHz

◆  一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出
◆  128*8 bit SRAM
◆  3组标准双向I/O端口
◆  8级用于子程序嵌套的堆栈
◆  6种可用中断

               4个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC

◆  2个外部中断：INT0，INT1

◆  ADC

               5个外部ADC输入

              1个内部电池检测

              内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V）