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通用I/O OTP

HS23P1820

HS23P1820 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机,它内建了 1K*14-bit 的 ROM、

64Byte 的 SRAM,包含 3 个 12 位 PWM,同时包含了可配置的端口比较器模块。


产品概述

HS23P1820 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机,它内建了 1K*14-bit 的 ROM、

64Byte 的 SRAM,包含 3 个 12 位 PWM,同时包含了可配置的端口比较器模块。


产品详情

42 条 RISC 指令,除了跳转指令是两个周期,所有的指令都是单周期

14 位宽指令,8 位宽数据路径,5 级深度硬件堆栈

支持 GOTO 指令全 ROM 跳转、支持全 ROM 子程序调用

1K×14 的程序存储器

64 × 8 位通用寄存器

直接、间接寻址方式

拥有 1 个可编程预分频器的 8 位实时时钟器(TC0)

拥有 1 个可编程预分频器的 12 位实时时钟器(TP0)

可配置的端口比较器资源

内部上电复位电路(

POR)、内置欠压复位(BOR)

上电复位定时器(

PWRT)和振荡器启动定时器(OST)

看门狗定时器(WDT)使用内部晶振可靠性高,由软件使能或禁止

1 组 I/O 口,可配置上拉、下拉和开漏等状态

4 种工作模式可任意切换:正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式

唤醒睡眠:INT/INT1 管脚中断、IOB 的输入状态改变、TC0 溢出唤醒、COMP 唤醒

唤醒绿色:INT/INT1 管脚中断、IOB 的输入状态改变、TC0、TP0 溢出唤醒、COMP 唤醒

省电休眠模式,可编程代码保护

可选的振荡器选项:内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器

6 种可用中断:TC0 溢出中断、IOB 端口变化中断、INT/INT1 中断、TP0 溢出中断、

COMP 比较中断

宽工作电压范围:2.2V 至 5.5V