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学习型电路

HS23P35E

HS23P35E是采用高速低功耗CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个16K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM),内置了红外学习电路。


产品概述

HS23P35E是采用高速低功耗CMOS工艺制造的8位单片机,它内部包含一个16K*16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM),内置了红外学习电路。


产品详情

◆ 宽工作电压范围:2.2V~3.6V (8M 2分频)。

◆ 工作温度范围:-20℃~80℃

◆ 工作频率范围:

内置RC 8MHz±2%

系统时钟源可配置选择:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16

◆ 16K*16-bit片内ROM

◆ 可直接、间接寻址

◆ 1个16位定时器TC0,做PWM、Buzzer时8位有效。

◆ 1个16位基本定时器T1

◆ 内置上电复位时间PWRT

◆ 内置WDT看门狗

◆ 内置可校准IRC振荡器(8MHZ)

◆ 一个安全位(代码寄存器中)保护程序不被读出

◆ 512*8bits片内寄存器组(SRAM,一般寄存器)

◆ 3组双向I/O端口

◆ 8级用于子程序嵌套的堆栈

◆ 节能模式(SLEEP模式)

◆ 6种可用中断:TC0、T0、外中断、P0_P1端口变化中断、P54端口变化中断、P50端口变化中断

◆ 内置红外发射放大驱动电路

◆ 内部上电复位电路(POR)

◆ 内置低电压检测(LVD),用于欠压复位(BOR)