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PRODUCT普通红外型电路
| Part No. | VDD | Inbuilt RC | ROM | RAM | I/O | Keys | Package | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS9100-T | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K*14 | 40 | 14 | 117(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS9100-T是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有OTP-ROM，HS9100-T提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。 CPU特性：◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V ◆ 工作温度范围：0℃~80℃ ◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA ◆ 1K*14位片内ROM ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ◆ 2组双向标准I/O端口 ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令 ◆ T-MODE型模式时，最多可形成117个按键 ◆ M-MODE型时，最多可形成49(6*7+7)个按键 ◆ 可以作为通用MCU使用 ◆ 不可间接寻址 ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒 ◆ 驱动可选（300mA~500mA） ◆ 省电解电容可选。 了解更多 |
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| HS9110-T | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 2K*13 | 40 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品简介：HS9110-T是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有OTP-ROM，HS9110-T提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。 CPU特性：◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V ◆ 工作温度范围：0℃~80℃ ◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA ◆ 2K*14位片内ROM ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ◆ 2组双向标准I/O端口 ◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 节能模式（SLEEP模式） ◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令 ◆ T-MODE型模式时，最多可形成91个按键 ◆ M-MODE型时，最多可形成49(6*7+7)个按键 ◆ 可以作为通用MCU使用 ◆ 不可间接寻址 ◆ 端口低电平变化唤醒及扩电源扩REM高电平唤醒 ◆ 驱动可选（300mA~500mA） ◆ 省电解电容可选。 了解更多 |
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